Subject   : 窒化ガリウム(GaN)

カテゴリー  : 半導体 


 窒化ガリウム(GaN)
  ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる窒化物半導体である。バンドギャップが3.45eV(光の波長で約365nmに相当)とSiより3倍広いという特性を活かして,光デバイス向けに多用されている。インジウム(In)やアルミニウム(Al)を混ぜてバンドギャップを調整することで,青色発光ダイオード(LED)や青紫色半導体レーザといった発光デバイスが実用化している。

◆ 応用分野
青色発光ダイオード(LED)や青紫色半導体レーザといった発光デバイス
 ⇒  化合物半導体

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