ガリウム砒素（GaAs）

ガリウム(Ga)と砒素(As)を材料とする半導体素材。
ICの主流はシリコン(Si)を半導体として用いたものだが、GaAsを利用したものは Siよりも高速で動作し、消費電力も約3分の1と少なく、小型化も容易 という特徴がある。 ただし、GaAsはSiに比べ高価で、純度の高いGaAsを得るのもSiより難しい。 また、脆いため加工も難しい。
　近年では、微細加工技術の進歩などでGaAsデバイスも安価に供給される ようになってきており、携帯電話など小型で高周波特性が要求される用途を 中心に広く普及している。 超高速・超高周波デバイスに適している。最近ではUHFやSHF用の高周波GaAs FET， マイクロ波アナログIC，赤外発光ダイオード，半導体レーザ，ホール素子， 太陽電池などに用いられている。
　GaAsは、単体の元素から構成されるSiとは異なり、 Ga(ガリウム)とAs(砒素)の化合物からなる半導体のため、化合物半導体とも言われる。

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