シリコンゲルマニウム（SiGe））

シリコンに対し少量のゲルマニウムが添加された半導体素材。 純粋なシリコンよりも電導性が高く、SiGe製の半導体はシリコン半導体よりも 消費電圧が小さく、ノイズも小さいという特徴がある。
ゲルマニウム(Ge)はトランジスタが発明されたときに使われていた素材であり、 当初「半導体に適した物質」と言われていたが、工業的な処理のしやすさから、 その後はシリコン(Si)が半導体素材の主流となった。
しかし、近年、シリコンとゲルマニウムを組み合わせたSiGe半導体が開発され、 これを応用したトランジスタは消費電力が少なく、より高速で動作し、 ノイズも少ないことがわかった。 こうした特性は、移動体通信端末などで大容量のデータを高速に送受信・処理 するのに適しており、無線通信チップで広く利用されるようになった。