Subject   : AMR素子(An-Isotropic Magnetoresistive device)

カテゴリー : デバイス > センサ


 AMR素子(An-Isotropic Magnetoresistive device)
 異方向性磁気抵抗効果を利用したデバイスです。

MRセンサは、Si若しくはガラス基板と、その上に形成された Ni.Feなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜で構成さ れています。形成された薄膜強磁性金属は、特定方向の磁界の 強度に応じて抵抗値が変化します。この効果を利用したのが MRセンサです。特定の磁界方向で抵抗値が変わる為、MR (Magneto-Resistance)の前にA(Anisotropic)を付け、 AMR(Anitorpic-Magneto-Resistance)センサ=異方性磁 気抵抗素子と呼び、半導体MRセンサと区別できるようにして います。図1のように薄膜強磁性金属に電流を流し、磁界Hが 電流方向Yに対して垂直方向Xに印加された場合、磁界の強さ に応じて抵抗値が下がります。

AMR 素子のライバル素子は、GMR(Giant Magnetoresistive)、コロッサル磁気抵抗(Colossal)があります。 MR 素子は強磁界材料を使用しています。
AMR は、溶けたパーマロイ材料を特定方向に磁界をかけた状態で固めたも のです。GMR は、薄膜MR 素子を特定方向へスキーの貼板のように積層し たものです。磁気ビームを急峻に。

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 ⇒ センサの種類

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